工藝中需要考慮的問題
如果要使用厚膜光刻膠，那么涂敷、烘干與曝光等許多工藝參數都與通常的1um厚光阻材料不同，需要重新設定。在涂敷過程中，厚的光刻膠會在晶圓邊緣形成鋸齒形。可以用很多方法減少這種情況的發生，如多次涂敷且中速固化或者用溶劑將凸起部分軟化，然后再慢慢將其去掉等。但BCB是一個特例，因為它在涂敷到晶圓上面后會迅速固化。建議使用一種旋轉式密封罩如SUSS ACS 200涂敷系統，這樣光阻材料就可以在固化前先散開。與敞開式滾涂方式相比這種方法只需要約一半的材料，可節省近50％，而且涂敷均勻性也有所增強。
光阻層較厚時預烘會比較困難，而且溶劑揮發也比較慢。此時用干膜光阻材料如杜邦公司的MRC比較好一些，因為這種膜可以直接一層一層地貼于晶圓上。在特別厚的光阻層上不會使用BCB，所以溶劑很容易揮發，因此預烘時只需離加熱板僅幾毫米即可獲得較高質量的涂層分布。各種類型的厚膜Novolak光阻材料的固化既困難又耗時，通常美國使用AZ 4620，歐洲用AZ 4562，而日本則用TOK PMER P-LA900PM和AZ LP。同樣，新的AZ 9260在涂敷后固化時所表現的性能與以前的產品都相同，在接觸到加熱板時其中的溶劑不會突然冒出來，而是在光阻層中產生氣縫與氣泡。換句話說，溶劑應充分排出，因為殘留的溶劑會影響到側壁的垂直度而形成鼓肚形。厚度在30um以下的光阻層可在110℃溫度下通過幾個貼近式加熱板進行預烘和固化，然后與加熱板直接接觸或離100um間隙保持5至7分鐘以進行適度排氣。厚度超過30um的采用多次涂敷方式，每次涂敷均用約60℃的加熱板進行固化。如果一次性涂敷30um以上，那么建議在60℃下固化1小時。
光阻層越厚，所需曝光量也應增加，但是不能無限地增加曝光強度，因為強度超過400mW/cm2后會對很厚的正性光阻層造成損壞，這也許是因為光阻材料過熱造成的。不過也只有多次涂敷才會遇到這類問題，因為整版作貼近掩膜對位曝光時其強度不會超過100mW/cm2。Cyclotene是一種中等厚度的光敏負性聚合物，它能夠承受高強度曝光，但所需用量要隨曝光強度而增加，同樣強度在50～100mW/cm2會比較理想。厚膜光刻膠的顯影時間比薄膜要長，而且正性光阻材料的顯影液濃度還要更高。一般的顯影時間為5分鐘，顯影液采用AZ 400 K和去離子水混合溶液，比例為1:3。攪拌顯影法應該適用于度為20um的光阻層，而噴射顯影法和超聲顯影法還正在研究過程中，可能是將來的主要方法。
結論
厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應用于封裝技術中。焊接凸點需要很厚的光阻層和較高重復精度，但并不要求很陡的側壁傾角；金凸點和銅布線則要求中等厚度的光阻膜，而且對側壁的精度與傾角要求都很高。對于感光介電材料中的過孔而言，傾斜的側壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤保持良好接觸。
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