1.光刻工藝：在掩模晶圓上繪制電路圖案
光刻對應(yīng)的英文是Photolithography，由“-litho（石刻）”和“graphy（繪圖）”組成，是一種印刷技術(shù)，換句話說，光刻是一種電路圖案繪制工藝。首先在晶圓上涂覆一層被稱為“光刻膠”的光敏聚合物，然后透過刻有所需圖案的掩模，選擇性地對晶圓進(jìn)行曝光，對曝光區(qū)域進(jìn)行顯影，以繪制所需的圖案或圖形。該工藝的步驟：涂覆光刻膠-對準(zhǔn)及曝光-后烘-顯影。在晶圓級封裝中，光刻工藝主要用于在絕緣層上繪制圖案，進(jìn)而使用繪制圖案來創(chuàng)建電鍍層，并通過刻蝕擴散層來形成金屬線路。
為更加清楚地了解光刻工藝，不妨將其與攝影技術(shù)進(jìn)行比較。攝影以太陽光作為光源來捕捉拍攝對象，對象可以是物體、地標(biāo)或人物。而光刻則需要特定光源將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到曝光設(shè)備上。另外，攝像機中的膠片也可類比為光刻工藝中涂覆在晶圓上的光刻膠。我們可以通過三種方法將光刻膠涂覆在晶圓上，包括旋涂（Spin Coating）、薄膜層壓（Film Lamination）和噴涂（Spray Coating）。涂覆光刻膠后，需用通過前烘（Soft Baking）來去除溶劑，以確保粘性光刻膠保留在晶圓上且維持其原本厚度。
旋涂將粘性光刻膠涂覆在旋轉(zhuǎn)著的晶圓中心，離心力會使光刻膠向晶圓邊緣擴散，從而以均勻的厚度分散在晶圓上。粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚。反之，粘度越低轉(zhuǎn)速越高，光刻膠就越薄。對于晶圓級封裝而言，特別是倒片封裝，光刻膠層的厚度須達(dá)到30 μm至100 μm，才能形成焊接凸點。然而，通過單次旋涂很難達(dá)到所需厚度。在某些情況下，需要反復(fù)旋涂光刻膠并多次進(jìn)行前烘。因此，在所需光刻膠層較厚的情況下，使用層壓方法更加有效，因為這種方法從初始階段就能夠使光刻膠薄膜達(dá)到所需厚度，同時在處理過程中不會造成晶圓浪費，因此成本效益也更高。但是，如果晶圓結(jié)構(gòu)表面粗糙，則很難將光刻膠膜附著在晶圓表面，此種情況下使用層壓方法，會導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。所以，針對表面非常粗糙的晶圓，可通過噴涂方法，使光刻膠厚度保持均勻。
完成光刻膠涂覆和前烘后，接下來就需要進(jìn)行曝光。通過照射，將掩模上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上。由于正性光刻膠（Positive PR）在曝光后會軟化，因此使用正性光刻膠時，需在掩模去除區(qū)開孔。負(fù)性光刻膠（Negative PR）在曝光后則會硬化，所以需在掩模保留區(qū)開孔。晶圓級封裝通常采用掩模對準(zhǔn)曝光機（Mask Aligner）或步進(jìn)式光刻機（Stepper）作為光刻工藝設(shè)備。
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