半導體生產工藝中：刻蝕、清洗、外延生長、離子注入、摻雜、氣相沉積、擴散等環節都會使用大量的電子氣體，如高純SiH4、PH3、AsH3、B2H6等。這些電子氣體的純度對芯片質量有著重要影響，隨著集成電路工藝節點不斷縮小，對氣體純度和雜質含量的要求也越來越高。電子特氣種類繁多，包括惰性氣體、氫化物氣、氟化物氣、酸性氣體等。在集成電路制造過程中，會使用高純度的特種氣體和混合氣體，每種氣體都應用在特定的工藝環節中。例如，氖、氬、氪、氙、氡等稀有氣體是晶圓制造的一部分材料，據北美半導體產業協會（SIA）統計，在各芯片制造材料中，電子氣體占比達14%，是僅次于硅片材料之外的第二大半導體材料。廣泛應用于晶圓制造過程的擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化等多道環節。
給大家簡單分享下不同電子特氣的應用：
半導體氣相沉積-制程調控：氟化物（Fluorides），氯化物（Chlorides），氮化物（Nitrides）和氨氣（Ammonia），這些氣體在其中起著關鍵作用。
光刻過程：氟化物（如HF，SF6），被用于通過掩膜在硅片上形成圖案。這是芯片制造中定義電路圖案的關鍵步驟。通過精確控制光刻氣體的使用，制造商能夠在硅片上創造出微小的結構，這決定了電路的性能。
刻蝕制程：氟碳化合物（如CF4，C2F6），在這個過程中，刻蝕氣體通過將不需要的材料從硅片上去除，形成所需的電路結構。此過程的精確性和可控性對芯片的最終性能至關重要。
薄膜制程：氧化氮（NO）和氨氣（NH3）等氣體被用于在硅片表面形成細膩的薄膜。這種薄膜在芯片的不同層次之間起到隔離和保護作用，確保電路的穩定性和可靠性。
擴散制程：氮氣（N2）被用于在硅片上引入摻雜物質，以改變硅片的電學性質。這是調節芯片性能的關鍵步驟，決定了電流的流動和電路的整體性
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