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半導(dǎo)體清洗的核心在于去除晶圓表面的各種污染物，并保持晶圓表面的潔凈度和電性能。具體原理包括：

物理清洗：利用機(jī)械力（如超聲波）或壓力（如噴淋）去除顆粒物。

化學(xué)清洗：通過化學(xué)反應(yīng)去除有機(jī)物和金屬離子。

等離子清洗：利用等離子體中的活性粒子與污染物反應(yīng)，從而去除污染物。表面改性：通過化學(xué)或物理方法改變晶圓表面的性質(zhì)，以提高后續(xù)工藝的效果。

1.預(yù)清洗

  去離子水（DI Water）沖洗：使用高純度的去離子水初步去除晶圓表面的顆粒和松散污染物。這一步驟是為了去除大顆粒和易于去除的雜質(zhì)，為后續(xù)的深度清洗做準(zhǔn)備。

  超聲波清洗：將晶圓置于裝有去離子水的超聲波槽中，通過超聲波產(chǎn)生的空化效應(yīng)，破壞顆粒與晶圓表面的結(jié)合力，從而去除顆粒。

化學(xué)清洗

去除有機(jī)物：

  丙酮清洗：使用丙酮溶解油脂和其他有機(jī)物。氨水/過氧化氫混合液（SC-1）：使用氨水和過氧化氫的混合液去除有機(jī)物。SC-1的典型配比為NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:5，溫度在20°C左右。

去除金屬離子：

  硝酸清洗：使用硝酸去除金屬離子。

  鹽酸/過氧化氫混合液（SC-2）：使用鹽酸和過氧化氫的混合液去除金屬離子。SC-2的典型配比為HCl:H2O2:H2O = 1:1:6，溫度在80°C左右。

去除氧化物：

  氫氟酸（HF）：使用氫氟酸去除晶圓表面的氧化層。HF的典型配比為HF:H2O = 1:50，溫度在室溫左右。

3.終清洗

  去離子水沖洗：使用去離子水沖洗晶圓，確保表面無殘留的化學(xué)物質(zhì)。

  臭氧水清洗：使用臭氧水（O3/H2O）進(jìn)一步氧化并去除殘留的有機(jī)物和金屬離子。

  旋轉(zhuǎn)甩干：在高速旋轉(zhuǎn)下，利用離心力去除晶圓表面的液體。

  氮?dú)獯祾撸菏褂玫獨(dú)獯祾呔A表面，確保表面干燥，防止水痕留下。