b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短； c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。 對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。 曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。 對準系統編輯 制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊專利的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。 對準系統另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場，許多高端的光刻機，采用了LED照明。 對準系統共有兩套，具備調焦功能。主要就是由雙目雙視場對準顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對（光刻機通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用）。 CCD對準系統作用是將掩模和樣片的對準標記放大并成像于監視器上。 工件臺顧名思義就是放工件的平臺，光刻工藝最主要的工件就是掩模和基片。 工件臺為光刻機的一個關鍵，由掩模樣片整體運動臺（XY）、掩模樣片相對運動臺（XY）、轉動臺、樣片調平機構、樣片調焦機構、承片臺、掩模夾、抽拉掩模臺組成。 其中，樣片調平機構包括球座和半球。調平過程中首先對球座和半球通上壓力空氣，再通過調焦手輪，使球座、半球、樣片向上運動，使樣片與掩模相靠而找平樣片，然后對二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進行鎖緊而保持調平狀態。 樣片調焦機構由調焦手輪、杠桿機構和上升直線導軌等組成，調平上升過程初步調焦，調平完成鎖緊球氣浮后，樣片和掩模之間會產生一定的間隙，因此必須進行微調焦。另一方面，調平完成進行對準，必須分離一定的對準間隙，也需要進行微調焦。 抽拉掩模臺主要用于快速上下片，由燕尾導軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。 承片臺和掩模夾是根據不同的樣片和掩模尺寸而進行設計的。 性能指標編輯 光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。 光刻機種類編輯 a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接觸 是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸； 3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式） 軟<硬<真空 接觸的越緊密，分辨率越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。 缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞,壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀七十年代的工業水準，已經逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產光刻機均為接觸式曝光，國產光刻機的開發機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產品化。 b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10 倍以上），圖形缺陷少。接近式在現代光刻工藝中應用最為廣泛。
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