用于IC生產(chǎn)及元器件生產(chǎn)中晶片的濕法刻蝕、清洗工藝,
根據(jù)客戶要求訂制不同的酸堿機槽
型號:M+-E150
主要用途:
用于IC生產(chǎn)及元器件生產(chǎn)中晶片的濕法刻蝕、清洗工藝。其作用是去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石、塑料等附件器皿的污染物。廣泛用于拋光片、擴散前、CMP后、氧化前及光刻后等關(guān)鍵工藝的清洗。
我公司可生產(chǎn)手動、半自動及全自動刻蝕、清洗設(shè)備,以滿足2?--8?晶片各種工藝需求。
蝕刻機型: 半自動蝕刻清洗、全自動蝕刻清洗
控制模式: 手動控制模式 ,自動控制模式;
清洗能力: 單片2-8inch,或cassette/ Batch,(25 Pcs/cassette)
工藝說明: 機械傳動,自動方式實現(xiàn)槽體間傳送工件;
腐蝕工藝自動補藥液保證了工藝槽在運行過程中濃度的穩(wěn)定性;
工藝參數(shù)(藥液溫度、時間、DIW水清洗模式、時間可調(diào))手動由觸摸屏界面可設(shè)定;
全程自動化控制,工藝過程中沒有人工干預(yù),保證產(chǎn)品性能的一致性;
清洗液為有機溶劑,設(shè)備操作臺面工位;按客戶要求設(shè)計并可選配CO2在線式滅火器。