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通常，電子束光刻主要流程依次為：基片表面預處理、涂覆光刻膠、前烘、電子束曝光、顯影、定影、金屬沉積及去膠等工藝環節。整個光刻工藝流程較復雜，總體光刻示意圖如下。

(1) 基片表面預處理

硅片表面粗糙度、熱膨脹系數低，光刻中通常采用硅片作為基底。為確保光刻膠涂覆均勻，需要使用化學溶液對表面進行清洗，再用去離子水漂洗并干燥。

(2）光刻膠涂敷

涂膠有旋涂法、噴涂法和定量滴膠等方法。考慮膠黏度等因素，涂覆厚度一般不大于1微米，通常采用旋涂法。將光刻膠滴在硅片中心處，使硅片高速旋轉，光刻膠在離心力的作用下均勻鋪滿整個硅 片。

(3)前烘

前烘的目的是揮發掉光刻膠中的溶劑，增強光刻膠與硅片的結合力。前烘過度會導致膠膜硬化，不利于其內應力的消除，前烘不足溶劑揮發不完全，膠膜則會出現缺陷，顯影時存在浮膠現象。

(4)曝光

電子束光刻工序中最復雜的一步是曝光，曝光的圖形尺寸精度直接影響零件的尺寸精度。曝光劑量對曝光效果的影響較大，若曝光劑量不足，顯影時會出現光刻膠殘留在硅片表面，顯影圖案不完整、形狀不規則。

(5)顯影

顯影液能溶解光刻膠被曝光的部分(正膠)或未被曝光的部分(負膠)，是產生圖形的關鍵工藝。顯影工藝的因素有顯影液類型的確定和顯影時間的控制、顯影液的配比、溫度。

(6)堅膜

堅膜又稱作硬烘，目的是通過烘烤使光刻膠膠模中殘留的顯影液和定影液揮發，提高光刻膠與基片之間的結合力，由于光刻膠的種類及旋涂后的膠膜厚度不同烘烤的溫度時間，若堅膜不到位可能會出現膠膜倒塌的情況。

電子束光刻是迄今為止分辨率最高的光刻技術，直寫式的方法不需要昂貴且費時的掩模版，加工靈活，已經引起廣泛的重視，隨著產業界對MEMS技術要求的不斷提高，電子束光刻已逐漸成為MEMS工藝的新支柱。